研究者the日本先進科学技術研究所は、以前に困惑していた材料科学の問題をラスベガス スロット マシンで解決しました。
本質的に分子の構造的特性を理解するか、実験室で合成されることはの基本です材料科学。科学技術が長年にわたって発展してきたため、この課題も進化しており、科学者はより魅力的な特性を持つ新しい材料を見つけることを目指しています。
ラスベガス スロット マシンシミュレーションの利用
このラスベガス スロット マシンシミュレーションベースのアプローチは、材料情報学として知られる研究分野全体がそれに専念するまで、非常に効果的でした。しかし、課題はまだ残っています。
そのような課題の1つは、両端に3つの水素原子を備えたSI-O-SIブリッジで構成されるシリコン（SI）を含む化合物であるDisiloxaneです。構造は比較的簡単ですが、科学者はSi-o-Siブリッジを曲げるのに必要なエネルギーを推定するのに苦労しています。
今、ケンタ・ホンゴ博士が率いる国際チーム、准教授the日本先進科学技術研究所、このジレンマをうまく解決しました。
モンテカルロ法
研究者は、他の方法が征服できなかった障害を最終的に克服する「第一原理モンテカルロ法」として知られる高度なシミュレーション方法を利用することにより、この課題に立ち向かうことができました。
チームの調査結果は、物理化学化学物理学.
しかし、研究者たちは、この課題を克服することは、より良いシミュレーションの開発に伴うだけではないと強調しました。契約は、より慎重で、より高価なシミュレーションで改善できます。
「私たちの方法が達成したことは、調整パラメーターに大きく依存することなく良い結果であるため、調整された値が十分かどうかを心配する必要はありません。」
科学者は、「密度汎関数理論」（DFT）計算や「結合クラスター法」を含む「密度機能理論」（DFT）の計算を含む、第一原子のラスベガス スロット マシンモンテカルロ法を他の標準的な方法と比較しました。過去の研究からの経験的測定に加えて。
振幅を微調整
チーム発見発見DFTおよびCCSD（t）の場合、基底セットの選択は、波動ファンクションの振幅とゼロ振幅の位置に影響を与えましたが、ラスベガス スロット マシンモンテカルロの場合、ゼロ振幅位置にのみ影響しました。これにより、研究者は、波動関数形状が正確な解の形状に近づくように振幅を調整することができました。
「この振幅のこの自己修復特性は、基礎依存性を低減し、曲げエネルギー障壁の計算において不完全な基礎から生じるバイアスを減らすのに適しています」とHongo博士は付け加えました。
これはエキサイティングな開発ですが、ホンゴ教授は発見のより広い意味を強調しました。「分子シミュレーションは、新しい薬と触媒の設計に広く使用されています。それらを使用する際の根本的な困難を取り除くことは、そのような材料の設計に大きく貢献します。
